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憶阻器應(yīng)用領(lǐng)域包括哪些?

更新時(shí)間:2023-07-06      點(diǎn)擊次數(shù):1113

      憶阻器英文名為memristor, 用符號(hào)M表示,與電阻R,電容C,電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件,它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶,其同時(shí)具備電阻和存儲(chǔ)的性能,是一種新一代高速存儲(chǔ)單元,通常稱為阻變存儲(chǔ)器 (RRAM)。

  憶阻器備受關(guān)注的重要應(yīng)用領(lǐng)域包括:非易失存儲(chǔ) (Nonvolatile memory),邏輯運(yùn)算 (Logiccomputing),以及類腦神經(jīng)形態(tài)計(jì)算 (Brain-inspired neuromorphic computing)等。這三種截然 不同又相互關(guān)聯(lián)的技術(shù)路線,為發(fā)展信息存儲(chǔ)與處理融合的新型計(jì)算體系架構(gòu),突破傳統(tǒng)馮 • 諾伊曼架構(gòu)瓶頸,提供了可行的路線。

  在憶阻器研究不斷取得新成果的同時(shí),基于憶阻器的多功能耦合器件也成為研究人員關(guān)注的熱點(diǎn)。這些新型耦合器件包括: 磁耦合器件、光耦合器件、超導(dǎo)耦合器件、相變憶阻器件、鐵電耦合器件等。

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